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Óxido In2O3 CAS 1312-43-2 del indio de la pureza elevada para ITO Indium Tin Oxide

Óxido In2O3 CAS 1312-43-2 del indio de la pureza elevada para ITO Indium Tin Oxide

High Purity Indium Oxide In2O3 CAS 1312-43-2 For ITO Indium Tin Oxide
High Purity Indium Oxide In2O3 CAS 1312-43-2 For ITO Indium Tin Oxide

Ampliación de imagen :  Óxido In2O3 CAS 1312-43-2 del indio de la pureza elevada para ITO Indium Tin Oxide Mejor precio

Datos del producto:

Lugar de origen: Suzhou, China
Nombre de la marca: KP

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: negotiable
Detalles de empaquetado: 1 kilogramo o 5 kilogramos en botella plástica
Tiempo de entrega: 3-5 días del trabajo
Condiciones de pago: L/C, T/T, D/P
Capacidad de la fuente: 300 kilogramos por semana
Descripción detallada del producto
Nombre del producto: Óxido del indio, indio (III) óxido Fórmula molecular: In2O3
El color: Amarillo claro Formulario: Polvo
El CAS: 1312-43-2 Punto de fusión: °C 2000
Densidad: 7,18 g/ml Solubilidad: Insoluble en agua.
Condiciones de almacenamiento: ningunas restricciones Área de aplicación: Es conveniente para procesar en blanco del óxido de la lata del indio (ITO), batería alcalina del ma
Resaltar:

trióxido del bismuto

,

óxido del hafnio

Óxido de indio de alta pureza In2O3 CAS 1312-43-2 para óxido de estaño de indio ITO

 

Nombre:Óxido de indio, óxido de indio (III)Fórmula molecular:In2O3

 

CAS:1312-43-2Peso molecular:277.63

 

Descripción:El óxido de indio es un polvo amorfo de color blanco o amarillento, que cambia a marrón rojizo cuando se calienta, insoluble en agua y soluble en ácido inorgánico caliente.Es un nuevo material funcional semiconductor transparente de tipo n con banda prohibida ancha, pequeña resistividad y alta actividad catalítica.Ha sido ampliamente utilizado en campo fotoeléctrico, sensor de gas y catalizador.Además de las funciones anteriores, las partículas de óxido de indio tienen el efecto de superficie, el efecto de tamaño cuántico, el efecto de tamaño pequeño y el efecto de túnel macro cuántico.

 

Especificación:

Nombre En2O3_5N En2O3_4N5 En2O3_4N
Fórmula molecular In2O3 In2O3 In2O3
CAS 1312-43-2 1312-43-2 1312-43-2
Contenido de In2O3 % ≥99.999 ≥99.995 ≥99.99
Encontenido % ≥81,5 ≥81,5 ≥81,5
contenido de impurezas Alabama % ≤1.5×10-4 ≤5.0×10-4 ≤10×10-4
Cd % ≤0.5×10-4 ≤5.0×10-4 ≤10×10-4
Fe % ≤1.0×10-4 ≤5.0×10-4 ≤10×10-4
Pb % ≤1.0×10-4 ≤5.0×10-4 ≤15×10-4
sn % ≤1.5×10-4 ≤5.0×10-4 ≤12×10-4
Tl % ≤1.5×10-4 ≤5.0×10-4 ≤10×10-4
zinc % ≤1.5×10-4 ≤5.0×10-4 ≤15×10-4
clcontenido % ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5
LOI % ≤0.5 ≤0.5 ≤0.5
propiedad polvo amarillo claro
Solicitud Es adecuado para procesar en blanco de óxido de indio y estaño (ITO), batería alcalina de manganeso en lugar de inhibidor de corrosión de mercurio, así como vidrio coloreado, cerámica y otros campos.
paquete Empaque sellado, empaque flexible de acuerdo a las necesidades del cliente

 

Embalaje:1 kg o 5 kg por paquete, cartón de 25 kg, también proporciona paquetes pequeños: 100 g, 500 g y otros paquetes pequeños

 

Usos:El óxido de indio se usa a menudo como materia prima en pantallas táctiles resistivas, principalmente en pantallas fluorescentes, vidrio, etc. Además, se usa ampliamente en los campos tradicionales como vidrio coloreado, cerámica, batería alcalina de manganeso en lugar del inhibidor de corrosión de mercurio Liu , reactivo químico, etc. En los últimos años, ha sido ampliamente utilizado en campos militares y de alta tecnología como la industria optoelectrónica, especialmente en el procesamiento de materiales objetivo de óxido de indio y estaño (ITO), la fabricación de electrodo transparente y reflector térmico transparente materiales, y la producción de pantalla de cristal líquido plana y antivaho.

Contacto
Suzhou KP Chemical Co., Ltd.

Persona de Contacto: Miss. Wang wendy

Teléfono: 86-18915544907

Fax: 86-512-62860309

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